Silicio karbido savybės

Silicio karbidas iš -, skirtas cheminiam stabilumui, aukštam šilumos laidumui, mažam šiluminio plėtimosi koeficientui, geram atsparumui dilimui, be abrazyvinio naudojimo, yra daug kitų naudojimo būdų, pavyzdžiui: speciali silicio karbido miltelių uždėjimo ant turbinos sparnuotės arba cilindro korpuso vidinės sienelės technologija, gali pagerinti atsparumą dilimui ir pailginti jo tarnavimo laiką 1 - 2; Naudojamas aukštos kokybės ugniai atsparioms medžiagoms gaminti, karščiui atspariam žemės drebėjimui, mažo dydžio, lengvo svorio ir didelio stiprumo, energijos taupymo efektas yra geras. Žemos kokybės silicio karbidas (turintis apie 85 % SiC) yra puikus deoksidantas, galintis pagreitinti plieno gamybą ir lengvai kontroliuoti cheminę sudėtį bei pagerinti plieno kokybę. Be to, silicio karbidas taip pat plačiai naudojamas elektroterminių elementų silicio strypams gaminti.
Silicio karbido kietumas yra labai aukštas, Mourinho kietumas yra 9,5, nusileidžiantis tik kiečiausiam pasaulyje deimantui (10 lygis), pasižymi puikiomis šilumos laidumo savybėmis ir yra puslaidininkis, galintis atsispirti oksidacijai aukštoje temperatūroje.
Silicio karbidas turi mažiausiai 70 kristalų tipų. -Silicio karbidas yra labiausiai paplitęs izomeras, kuris susidaro aukštoje, aukštesnėje nei 2000 laipsnių temperatūroje ir turi šešiakampės kristalų sistemos kristalinę struktūrą (pluoštinė cinko rūda). - Silicio karbidas, kubinė kristalų sistemos struktūra, panaši į deimantą, esant 20 laipsnių temperatūrai [13]. Naudojant heterofazinius katalizatorius - Silicio karbidas iš - jo santykis - Silicio karbidas turi didesnį plotą nei paviršius. Yra ir kitas silicio karbidas, μ- Silicio karbidas, pats stabiliausias, susidūręs gali skleisti malonesnius garsus. Tačiau iki šiol šie du silicio karbido tipai nebuvo komerciškai naudojami.
Kadangi silicio karbido savitasis sunkis yra 3,1 g/cm3, o sublimacijos temperatūra yra santykinai aukšta (apie 2700 laipsnių), jis idealiai tinka kaip žaliava guoliams arba aukštos temperatūros krosnims. Esant bet kokiam pasiekiamam slėgiui, jis netirpsta ir turi gana mažą cheminį reaktyvumą. Dėl didelio - silicio karbido šilumos laidumo, didelio ardomojo elektrinio lauko intensyvumo ir didelio srovės tankio jį buvo bandoma naudoti kaip alternatyvą siliciui, ypač didelės galios puslaidininkiniuose elementuose. Be to, silicio karbidas turi didelį afinitetą mikrobangų spinduliuotei, o jo kilimo taškas leidžia kaitinti metalus.
Grynas silicio karbidas yra bespalvis, tačiau pramoninėje gamyboje dėl nešvarių medžiagų, tokių kaip geležis, jo spalva dažniausiai būna nuo rudos iki juodos. Kristalo paviršius turi vaivorykštės blizgesį nuo -, nes susidaro apsauginis silicio dioksido sluoksnis.
SiC - yra puslaidininkis, kuris keičia SiC medžiagos energijos lygio struktūrą sumaišydamas ir toliau koreguoja jos savybes, daugiausia naudodamas jonų įpurškimą, kad sumaišytų A, B, N ir kitus atomus. Tarp jų: ​​- priimantys atomai, tokie kaip Al, labiau linkę pakeisti Si padėtį SiC gardelėje, sudarydami gilų žemės energijos lygį ir gamindami P - tipo puslaidininkį; - donoro atomai, tokie kaip N ir P, labiau tikėtina, kad užims C kristalinės gardelės padėtį ir sudarys negilų donoro lygį, kad gautų N - tipo puslaidininkį. Verta paminėti, kad SiC turi platų dopingo diapazoną (1X1014 - 1X1019 cm - 3), kurio trūksta kituose plačiajuosčio ryšio puslaidininkiuose, ir šiame diapazone nesunku realizuoti N ir P tipo legiravimą, pavyzdžiui, mažos varžos 4H - SiC monokristalų po AI dopingo.