Paprasčiausias silicio karbido gamybos būdas yra kvarcinio smėlio ir anglies, pvz., anglies, lydymas aukštoje temperatūroje - iki 2500 laipsnių Celsijaus. Tamsesnėse, labiau paplitusiose silicio karbido versijose dažnai yra geležies ir anglies priemaišų, tačiau gryni SiC kristalai yra bespalviai ir susidaro silicio karbidui sublimuojant 2700 laipsnių Celsijaus temperatūroje. Kai kaitinami, šie kristalai nusodinami ant grafito žemesnėje temperatūroje, taikant procesą, žinomą kaip Lely metodas.
Lely metodas: Šiame procese granitinis tiglis kaitinamas iki labai aukštos temperatūros, dažniausiai indukcija, kad sublimuotų silicio karbido miltelius. Žemesnės temperatūros grafito strypas yra dujiniame mišinyje, todėl grynas silicio karbidas gali nusodinti ir formuoti kristalus.
Cheminis nusodinimas garais: Kaip alternatyvą, gamintojai augina kubinį SiC, naudodami cheminį nusodinimą iš garų, kuris dažniausiai naudojamas anglies pagrindu pagamintuose sintezės procesuose ir naudojamas puslaidininkių pramonėje. Taikant šį metodą, specialus cheminis dujų mišinys įvedamas į vakuuminę aplinką ir sujungiamas prieš nusodinant ant pagrindo.
Abu silicio karbido plokštelių gamybos būdai reikalauja milžiniškų energijos, įrangos ir žinių, kad būtų sėkmė.