Paprasčiausias silicio karbido gamybos būdas yra silicio smėlio ir anglies, tokios kaip anglis, lydymas aukštoje – iki 2500 laipsnių Celsijaus – temperatūroje. Tamsesnėse, labiau paplitusiose silicio karbido versijose dažnai yra geležies ir anglies priemaišų, tačiau gryni SiC kristalai yra bespalviai ir susidaro, kai silicio karbidas sublimuojamas 2700 laipsnių Celsijaus temperatūroje. Po kaitinimo šie kristalai nusodinami ant grafito žemesnėje temperatūroje, taikant procesą, žinomą kaip Lely metodas.
Lely metodas: Šiame procese granitinis tiglis kaitinamas iki labai aukštos temperatūros, dažniausiai indukcija, kad sublimuotų silicio karbido miltelius. Žemesnės temperatūros grafito strypas yra dujiniame mišinyje, todėl grynas silicio karbidas gali nusodinti ir sudaryti kristalus.
Cheminis nusodinimas garais: Arba gamintojai kubinį SiC augina naudodami cheminį garų nusodinimą, kuris dažniausiai naudojamas anglies pagrindu pagamintuose sintezės procesuose ir naudojamas puslaidininkių pramonėje. Taikant šį metodą, specialus cheminis dujų mišinys įvedamas į vakuuminę aplinką ir sujungiamas prieš nusodinant ant pagrindo.
Abu silicio karbido plokštelių gamybos būdai reikalauja didžiulio energijos, įrangos ir žinių.
