Remiantis gamybos metodu, silicio nitridų produktus galima suskirstyti į reakcijos sukepinimo produktus, karštų presavimo produktus, atmosferos sukepinimo produktus, izostatinius presavimo produktus ir reakcijų pakartotinius produktus. Tarp jų reakcijos sukepinimas yra plačiai naudojamas refrakterinių silicio nitrido produktų gamybai metodas.
Reakcijos sukepinimo metodas suteikia galimybę gauti produktų iš silicio nitrido, paspaudus arba izostatiškai paspaudus smulkiai sumaltus silicio miltelius (dalelių dydis paprastai neviršija 80 μm), džiovinant žalią korpusą, kaitinant jį iki 1350-1400 laipsnio azoto ir nitrizuodami skrudinimo procesą. Taikant šį gamybos metodą, žaliavų sąlygos, skrudinimo procesas ir atmosfera daro didelę įtaką produkto veikimui.
Silicio milteliuose yra daug priemaišų, tokių kaip Fe, CA, Al, Ti ir kt. Fe yra laikomas katalizatoriumi reakcijos procese. Tai gali skatinti silicio difuziją, tačiau tuo pat metu tai gali sukelti tokius trūkumus kaip poros. Pagrindinis Fe, kaip priedo, vaidmuo: jis gali veikti kaip katalizatorius reakcijos procese, skatindamas SiO2 oksido plėvelės susidarymą produkto paviršiuje; Suformuokite geležies silicio lydalo sistemą, o azotas ištirpsta skystyje FESI2, prisidedant prie -SI3N4 susidarymo. Tačiau jei geležies dalelės yra per didelės ar per didelės, produkte atsiranda tokių defektų, kaip poros, o tai sumažina jo veikimą. Paprastai pridedamas geležies kiekis yra 0-5%. Priemaišos, tokios kaip Al, Ca ir Ti, lengvai sudaro žemą eutektiką su siliciu. Tinkamas priedų kiekis gali skatinti sukepinimą ir pagerinti produkto našumą.
Kuo smulkesnis silicio miltelių dalelių dydis, tuo didesnis specifinis paviršiaus plotas ir žemesnė šaudymo temperatūra. Palyginti su didesniais silicio milteliais, smulkesniuose silicio milteliuose yra daugiau -SI3N4 produkte. Sumažinus silicio miltelių dalelių dydį, galima sumažinti mikroskopinę porų dydį produkte. Tinkamas dalelių dydžio santykis gali padidinti produkto tankį.
Temperatūra daro didelę įtaką nitridavimo greičiui. Nitriduojanti reakcija prasideda 970-1000 laipsnio temperatūroje, o reakcijos greitis pagreitėja maždaug 1250 laipsnių temperatūroje. Aukštos temperatūros etape, nes tai yra egzoterminė reakcija, jei temperatūra greitai viršija silicio lydymosi tašką (1420 laipsnių), gali atsirasti silicio srautas, o stiprūs silicio miltelių ruošiniai ištirps ir sugrius.